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LED 조명 밝기 및 조명 효율의 고급 이력

LED 조명 밝기 및 조명 효율의 고급 이력


2006년 CREE는 새로운 쿨 화이트 LED "XP"를 출시했다고 발표했습니다. 빛나는 효율성과 밝기로 새로운 기록을 세운 G". 구동 전류가 350mA일 때, 발광 플럭스는 139lm에 이르며, 발광 효율은 1~lm/W입니다. 밝기와 발광 효율은 각각 37%와 53%가 크리의 밝은 XR보다 높습니다. "업계의 더 밝고 고효율 조명 LED"라고 불리는 ELED.


2007년 니치아는 새로운 유형의 LED를 출시했습니다. 실험제품은 350mA의 전방 전류, 약 134lm/w의 발광 효율, 1m㎡의 칩 크기, 4988K(Ir=20mA의 경우) 색 온도(Ir=20mA의 경우) 상태의 145m의 발광 플럭스를 가지고 있으며, 발광 효율은 169lm/W로 높다.


2007년, 미국 CREE 회사는 SIC 기판에 대한 이중 이종 명령을 성장했으며, 생산된 장치도 우수했습니다. SiC 기판은 기판의 바닥에 Gabl 기반 LED의 금속 전극을 제조할 수 있으며, 전류는 저저항 전도성 기판을 통해 수직으로 흐를 수 있으며, 이는 또한 다른 광전자 장치의 개발을 위한 토대를 마련한다.


같은 해 니치아케미칼은 차세대 고출력 백색 LED를 출시했다. 350mA 전류 입력의 라이트 플럭스는 145lm이며, 발광 효율은 134lm/W입니다. 백색 LED의 고효율을 달성하는 이유는 사용되는 블루 LED 칩의 고효율을 달성하기 위한 것입니다. 파란색 LED는 350mA, 파장 444nm, 외부 양자 효율 66.5%, WPE 60.3%로 구동시 651mW의 광학 출력을 갖는다.


같은 해 니치아는 150lm/W의 빛나는 효율로 백색 LED를 생산했습니다. 이 LED의 효율은 당시 업계에서 상대적으로 높은 수준을 나타내며, 20mA의 전방 전류를 가진 유형은 1001m/W입니다.


2009년 초, CREE는 161lm/W의 빛 효과와 4 689K의 색 온도를 달성했다고 발표했다. 이 LED의 표준 테스트 조건은 실온및 350mA의 구동 전류에서 수행됩니다.


2009년 말, CREE는 백색광 고출력 LED 발광 효율이 186lm/W. CREE 테스트 결과를 달성했다고 발표했는데, 이는 상관 관계가 있는 색 온도가 4577K일 때 LED가 1971m의 광 출력을 생성할 수 있음을 보여준다. 이 시험은 실온에서 350mA의 드라이브 전류를 가진 표준 테스트 환경에서 수행됩니다.


2009년 초, 니치아의 실험실 결과에 따르면 LED의 발광 효율은 20mA에서 2491W 저항으로 증가했습니다. 그러나 LED 산업에서 일반적으로 사용되는 350mA 전류하에서 발광 효율은 1451W 저항으로 감소하여 업계의 주목을 받고 있습니다.


2011년 Osram의 R&D 엔지니어들은 LED 제조와 관련된 모든 기술을 완전히 개선했습니다. 실험실 테스트에서 새로 개발된 화이트 LED는 회사의 밝기와 발광 효율에 대한 새로운 기록을 세웠습니다. 350mA의 작동 전류의 표준 조건에서 LED 밝기는 1 55lm에 도달 할 수 있으며 발광 효율은 1 36 lm / w만큼 높습니다. 백색광 LED 프로토타입은 1m㎡ 칩을 사용하며, 방출된 빛의 색 온도는 5000K이며 크로마시 좌표는 0.349/0.393(cx/cy)입니다.


2011년 CREE는 백색 LED 조명 효율이 231lm/W를 초과했다고 발표했습니다. 이 회사는 단일 모듈 구성 요소를 사용하고 450OK의 색 온도와 350mA의 표준 테스트 실온에서 23llm /W의 백색 LED 발광 효율을 측정했습니다. 현재 LED의 다양한 지표는 여전히 지속적으로 개발되고 있습니다. 응용 분야의 확대와 함께 LED 램프 구슬에 대한 요구 사항은 점차 다양화됩니다. 동시에 기술 진보는 매개 변수 지표에 반영될 뿐만 아니라 매년 비용이 감소하고 있습니다. 현재 LED 조명 기구는 수천 가구에 진입했습니다.