SiCrecreates Round의 1907년 원래 실험에서 결정의 점 접촉에서 녹색 전기발광.
현상으로서의 전기발광은 1907년 영국의 실험자인 Marconi Labs의 HJ Round가 탄화규소 결정과 고양이 수염 탐지기를 사용하여 발견했습니다. 러시아 발명가 Oleg Losev는 1927년에 최초의 LED를 만들었다고 보고했습니다. 그의 연구는 소비에트, 독일 및 영국 과학 저널에 배포되었지만 수십 년 동안 발견이 실제로 사용되지 않았습니다. Kurt Lehovec, Carl Accardo 및 Edward Jamgochian은 1953년에 배터리 또는 펄스 발생기의 전류 소스와 함께 SiC 크리스털을 사용하는 장치를 사용하고 1953년 변형된 순수 크리스털과 비교하여 이 최초의 발광 다이오드를 설명했습니다.
Radio Corporation of America의 Rubin Braunstein은 1955년에 갈륨 비소(GaAs) 및 기타 반도체 합금의 적외선 방출에 대해 보고했습니다. Braunstein은 갈륨 안티모나이드(GaSb), GaAs, 인듐 인화물(InP) 및 실온 및 77Kelvin에서 실리콘-게르마늄(SiGe) 합금.
1957년에 Braunstein은 기초적인 장치가 근거리 무선 통신에 사용될 수 있음을 추가로 시연했습니다. Kroemer Braunstein이 언급한 바와 같이 "...간단한 광 통신 링크를 설정했습니다. 레코드 플레이어에서 나오는 음악은 적절한 전자 장치를 통해 GaAs 다이오드의 순방향 전류를 변조하는 데 사용되었습니다. 방출된 빛은 약간 떨어진 PbS 다이오드에 의해 감지되었습니다. 이 신호는 오디오 증폭기에 입력되어 확성기에 의해 재생되었습니다. 빔을 차단하면 음악이 중단되었습니다. 우리는 이 설정으로 매우 즐겁게 연주했습니다." 이 설정은 광통신 애플리케이션을 위한 LED의 사용을 예고했습니다.
TO{1}} 트랜지스터 금속 케이스에 포함된 Texas Instruments SNX{0}} GaAs LED
1961년 9월 텍사스 달라스에 있는 텍사스 인스트루먼트에서 일하는 동안 제임스 R. 비어드와 게리 피트만은 GaAs 기판에 구축한 터널 다이오드에서 근적외선(900nm) 발광을 발견했습니다. 1961년 10월까지 그들은 GaAs pn 접합 발광체와 전기적으로 절연된 반도체 광검출기 사이의 효율적인 발광 및 신호 결합을 시연했습니다. 1962년 8월 8일, Biard와 Pittman은 순방향 바이어스에서 적외선을 효율적으로 방출할 수 있도록 이격된 음극 접점이 있는 아연 확산 pn 접합 LED를 설명하는 "반도체 복사 다이오드"라는 제목의 특허를 그들의 발견에 기초하여 출원했습니다. 미국 MIT의 GE Labs, RCA Research Labs, IBM Research Labs, Bell Labs 및 Lincoln Lab의 제출 이전 엔지니어링 노트북을 기반으로 작업의 우선 순위를 설정한 후 특허청은 최초의 실용적인 LED인 GaAs 적외선(IR) 발광 다이오드(미국 특허 US3293513)에 대한 특허를 두 명의 발명가에게 발행했습니다. 특허를 출원한 직후 텍사스 인스트루먼트(TI)는 적외선 다이오드 제조 프로젝트를 시작했습니다. 1962년 10월 TI는 순수한 GaAs 수정을 사용하여 890nm 광 출력을 방출하는 최초의 상용 LED 제품(SNX{11}})을 발표했습니다. 1963년 10월 TI는 최초의 상업용 반구형 LED인 SNX{14}}를 발표했습니다.
최초의 가시 스펙트럼(적색) LED는 1962년 Nick Holonyak, Jr.가 General Electric에서 근무하는 동안 개발했습니다. Holonyak은 1962년 12월 1일 Applied Physics Letters 저널에 자신의 LED를 처음 보고했습니다. Holonyak의 전 대학원생인 M. George Craford는 최초의 노란색 LED를 발명하여 빨간색 및 빨간색 주황색 LED의 밝기를 10배 향상시켰습니다. 1976년에 TP Pearsall은 광섬유 전송 파장에 맞게 특별히 조정된 새로운 반도체 재료를 발명하여 광섬유 통신을 위한 최초의 고휘도, 고효율 LED를 만들었습니다.
