LED 칩은 어떻게 만들어지나요?

LED 칩은 어떻게 만들어지나요?

LED 칩이란 무엇입니까? 그렇다면 그 특징은 무엇입니까? LED 칩 제조는 주로 효과적이고 신뢰할 수있는 저 오믹 접촉 전극을 제조하고 접촉 가능한 재료 간의 상대적으로 작은 전압 강하를 충족시키고 와이어 본딩을위한 압력 패드를 제공 할 수 있습니다. 가능한 한 많은 빛을 꺼냅니다. 막-교차 공정은 일반적으로 진공 증발 방법을 사용한다. 4Pa의 고진공 하에서 재료는 저항 가열 또는 전자 빔 폭격 가열에 의해 용융되고 BZX79C18은 금속 증기가되어 저압으로 반도체 재료의 표면에 증착됩니다.

일반적으로 사용되는 P형 접촉 금속에는 AuBe 및 AuZn과 같은 합금이 포함되며 N측 접촉 금속은 종종 AuGeNi 합금을 사용합니다. 코팅 후 형성된 합금 층은 또한 포토 리소그래피 공정을 통해 가능한 한 많은 발광 영역을 노출해야하므로 나머지 합금 층은 효과적이고 신뢰할 수있는 저 오믹 접촉 전극 및 접합 와이어 패드의 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 포토 리소그래피 공정이 완료된 후에는 합금 공정이 필요하며 합금화는 일반적으로 H2 또는 N2의 보호하에 수행됩니다. 합금화의 시간과 온도는 일반적으로 반도체 재료의 특성 및 합금로의 형태와 같은 요인에 의해 결정됩니다. 물론, 청색과 녹색과 같은 칩 전극 공정이 더 복잡하다면, 패시베이션 필름, 플라즈마 에칭 공정 등의 성장을 증가시킬 필요가 있다.

LED 칩 제조 공정에서 어떤 공정이 광전자 특성에 더 중요한 영향을 미칩니 까?

일반적으로 LED 에피 택시 생산이 완료된 후 주요 전기적 특성이 확정되었으며 칩 제조는 코어의 특성을 변경하지 않지만 코팅 및 합금 공정 중 부적절한 조건으로 인해 일부 전기 매개 변수가 나빠질 수 있습니다. 예를 들어, 합금 온도가 너무 낮거나 너무 높으면 오믹 접촉이 불량합니다. 불량한 오믹 접점은 칩 제조에서 높은 순방향 전압 강하 VF의 주된 이유입니다. 절단 후 칩 가장자리에서 일부 에칭 공정이 수행되면 칩의 역 누출을 개선하는 데 도움이됩니다. 다이아몬드 연삭 휠 블레이드로 절단 한 후에는 칩 가장자리에 더 많은 파편과 분말이 남아 있기 때문입니다. LED 칩의 PN 접합부에 달라 붙으면 누출이 발생하고 고장이 발생할 수 있습니다. 또한, 칩의 표면에 포토레지스트가 깨끗하게 박리되지 않으면, 전방 와이어 본딩 및 가상 용접에 어려움이 발생할 것이다. 그것이 뒤면이라면, 그것은 또한 높은 전압 강하를 일으킬 것입니다. 칩 생산 공정에서 표면을 조면화하고 거꾸로 된 사다리꼴 구조로 나눔으로써 광도를 향상시킬 수 있습니다.

LED 칩이 다른 크기로 나뉘어지는 이유는 무엇입니까? LED의 광전 성능에 대한 크기의 영향은 무엇입니까?

LED 칩의 크기는 전력에 따라 저전력 칩, 중전력 칩 및 고전력 칩으로 나눌 수 있습니다. 고객 요구 사항에 따라 단일 튜브 레벨, 디지털 레벨, 도트 매트릭스 레벨 및 장식 조명 및 기타 카테고리로 나눌 수 있습니다. 칩의 특정 크기는 다른 칩 제조업체의 실제 생산 수준에 따라 다르며 특정 요구 사항은 없습니다. 프로세스가 통과되는 한, 작은 칩은 단위 출력을 높이고 비용을 절감 할 수 있으며 광전자 성능은 근본적으로 변하지 않습니다. 칩에 의해 사용되는 전류는 실제로 칩을 통해 흐르는 전류 밀도와 관련이 있습니다. 작은 칩은 작은 전류를 사용하고 큰 칩은 큰 전류를 사용합니다. 그들의 단위 전류 밀도는 기본적으로 동일합니다. 열 발산이 고전류의 주요 문제라는 점을 고려할 때, 발광 효율은 작은 전류보다 낮습니다. 반면에 면적이 증가함에 따라 칩의 벌크 저항이 감소하므로 순방향 전압이 감소합니다.

LED 고전력 칩은 일반적으로 칩의 어떤 영역을 의미합니까? 왜?

백색광에 사용되는 LED 고출력 칩은 일반적으로 시장에서 약 40mil입니다. 소위 고전력 칩에 사용되는 전력은 일반적으로 1W 이상의 전력을 의미합니다. 양자 효율은 일반적으로 20 % 미만이기 때문에 대부분의 전기 에너지는 열 에너지로 변환되므로 고전력 칩의 열 발산이 매우 중요하며 칩은 더 넓은 면적을 가져야합니다.

GaP, GaAs, InGaAlP와 비교하여 GaN 에피택셜 재료 제조를 위한 칩 기술 및 가공 장비의 다양한 요구 사항은 무엇입니까? 왜?

일반 LED 적색 황색 칩과 고휘도 사차 적색 황색 칩의 기판은 GaP 및 GaAs와 같은 화합물 반도체 재료로 만들어지며 일반적으로 N 형 기판으로 만들 수 있습니다. 습식 공정은 포토 리소그래피에 사용되며 칩은 에머리 휠 블레이드로 칩으로 절단됩니다. GaN 소재의 청록색 칩은 사파이어 기판을 사용합니다. 사파이어 기판은 절연되어 있기 때문에 LED의 극으로 사용할 수 없습니다. 건식 에칭 공정을 통해 에피 택셜 표면에 두 개의 P / N 전극을 동시에 만들어야합니다. 또한 몇 가지 패시베이션 과정을 통해. 사파이어는 너무 단단하기 때문에 다이아몬드 휠 블레이드로 칩을 칠하기가 어렵습니다. 그 과정은 일반적으로 GaP 및 GaAs 재료로 만들어진 LED보다 점점 더 복잡합니다.

"투명 전극"칩의 구조와 그 특성은 무엇입니까?

소위 투명 전극은 전기를 전도 할 수 있어야하며, 두 번째는 빛을 전달할 수 있어야합니다. 이 재료는 현재 액정 생산 공정에서 더 널리 사용되고 있으며, 그 이름은 인듐 주석 산화물, 영어 약어 ITO이지만 패드로 사용할 수는 없습니다. 만들 때 먼저 칩 표면에 오믹 전극을 만든 다음 표면을 ITO층으로 덮은 다음 ITO의 표면에 패드 층을 플레이트하십시오. 이와 같이, 리드로부터의 전류는 ITO 층을 통해 각각의 오믹 접촉 전극에 고르게 분포된다. 동시에, ITO의 굴절률은 공기의 굴절률과 에피택셜 물질 사이에 있기 때문에, 광 출력 각도가 증가될 수 있고, 광속도 증가될 수 있다.

반도체 조명용 칩 기술 개발의 주류는 무엇입니까?

반도체 LED 기술의 발달로 조명 분야에서의 응용 분야, 특히 반도체 조명의 핫스팟이 된 백색 LED의 출현이 증가하고 있습니다. 그러나 키 칩 및 패키징 기술은 여전히 개선되어야하며 칩은 고전력, 높은 광 효율 및 열 저항 감소를 위해 개발되어야합니다. 전력이 증가한다는 것은 칩에 사용되는 전류가 증가한다는 것을 의미한다. 보다 직접적인 방법은 칩의 크기를 늘리는 것입니다. 이제 일반적인 고출력 칩은 약 1mm × 1mm이며 사용 된 전류는 350mA입니다. 전류의 증가로 인해 방열 문제가 발생했습니다 현저한 문제는 이제 기본적으로 플립 칩 방법으로 해결됩니다. LED 기술의 발전으로 조명 분야에서의 적용은 전례없는 기회와 도전에 직면하게 될 것입니다.

"플립 칩"이란 무엇입니까? 어떻게 구성되어 있습니까? 장점은 무엇입니까?

파란색 LED는 일반적으로 Al2O3 기판을 사용합니다. Al2O3 기판은 경도가 높고 열전도율이 낮으며 전기 전도율이 높습니다. 긍정적 인 구조가 사용되면 한편으로는 정전기 방지 문제가 발생합니다. 더 중요한 문제. 동시에, 전면 전극이 위쪽을 향하기 때문에 빛의 일부가 차단되고 발광 효율이 감소합니다. 고출력 청색 LED는 전통적인 패키징 기술보다 플립 칩 기술을 통해보다 효과적인 광 출력을 얻을 수 있습니다.

현재의 주류 플립 칩 구조 방법은 먼저 공융 용접에 적합한 전극을 가진 대형 블루 LED 칩을 제조하고, 동시에 블루 LED 칩보다 약간 큰 실리콘 기판을 준비하고, 그 위에 공융 용접을 위해 금을 제조하는 것이다. 도전층 및 리드 와이어 층 (초음파 금선 볼 본딩 포인트). 그런 다음 고출력 블루 LED 칩과 실리콘 기판을 공융 용접 장비를 사용하여 함께 용접합니다.

이 구조의 특징은 에피택셜층이 실리콘 기판과 직접 접촉하고 실리콘 기판의 열저항이 사파이어 기판의 열저항보다 훨씬 낮기 때문에 방열 문제가 잘 해결된다는 것이다. 플립 치핑 후 사파이어 기판이 위로 향하기 때문에 발광 표면이되고 사파이어가 투명하므로 발광 문제도 해결됩니다. 위의 내용은 LED 기술에 대한 관련 지식입니다. 나는 과학 기술의 발전으로 미래의 LED 조명이 점점 더 효율적이 될 것이며 서비스 수명이 크게 향상되어 더 큰 편의를 가져다 줄 것이라고 믿습니다.

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