UVLED를 선택하는 이유
먼저 UVLED와 일반 LED의 차이점에 대해 알아보겠습니다.
UVLED(자외선 LED)의 구성: 얇은 GaN 샌드위치 구조에 끼워진 하나 이상의 InGaN 양자 우물로 구성되며, 형성된 활성 영역은 클래딩 층입니다. InGaN 양자 우물에서 InN-GaN의 상대 비율을 변경함으로써 방출 파장을 보라색에서 다른 빛으로 변경할 수 있습니다. AlGaN은 AlN의 비율을 변경하여 UVLED에서 클래딩 및 양자 우물 층을 만드는 데 사용할 수 있지만 이러한 장치는 효율성과 성숙도가 낮습니다. 활성 양자 우물 층이 InGaN 또는 AlGaN 합금과 달리 GaN인 경우 장치는 350~370nm의 스펙트럼 범위를 방출합니다.
자외선은 짧은 전자 펄스가 청색 InGaN 발광 다이오드에 펌핑될 때 생성됩니다. 알루미늄 함유 질화물, 특히 AlGaN 및 AlGaInN은 더 짧은 파장의 장치를 만들고 일련의 파장을 가진 UVLED를 얻을 수 있습니다. 최대 247nm 파장의 다이오드가 상용화되었으며 210nm 자외선을 방출하는 질화알루미늄 기반 LED가 성공적으로 개발되었으며 250-270nm 대역의 UVLED도 개발 중에 있습니다.
수은 램프 및 크세논 램프와 같은 기존의 가스 UV 광원과 비교할 때 새로운 UV 출력 광원 UV LED는 강력한 장점이 있습니다. 주요 기능은 다음과 같습니다.
(1) 개폐 횟수는 서비스 수명에 영향을 미치지 않습니다. 전통적인 자외선 광원 수은 램프의 자외선 방사 강도는 누적 개방 시간 및 점화 시간이 증가함에 따라 감소합니다.
(2) 긴 수명, 20,{2}} 시간 이상, 기존 UV 광원의 수명은 100-1000 시간입니다.
(3) 고효율 및 에너지 절약, 기존 UV 광원의 광전 변환 효율은 최대 60%입니다.
(4) 스펙트럼이 집중되고 자외선이 전체 광 출력의 98% 이상을 차지하며 기존 광원에 부착된 적외선 복사가 없습니다.
(5) 2.5px3에 불과한 작은 크기는 원하는 대로 다양한 형태의 라이트 어레이로 조립할 수 있으며 다양한 요구에 적용할 수 있습니다.
(6) 주요 피크는 좁고 단일합니다. 광 출력의 90% 이상이 주요 피크 근처의 ±10nm 범위에 집중됩니다.
(7) DC 저전압 드라이브: 휴대용 UV 장비에 적합합니다.
(8) 출력 전력이 안정적이고 지속적으로 조정 가능합니다.
(9) 즉각적인 광 출력: 예열 시간이 필요하지 않으며 응답 시간은 마이크로초입니다.
(10) 환경 보호: 수은 없음, 중금속 오염 없음.
광원의 힘을 올바르게 선택하고 사용하는 방법에 관계없이 UV 접착제에 따라 해당 광원 밴드를 선택하는 것이 매우 중요하며 일련의 문제에주의를 기울여야하며 이점에도 조건이 필요합니다 표시됩니다!
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